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首页 全部分类 NVTFS5820NLTAG vs FDD5353

NVTFS5820NLTAG备选型号: FDD5353

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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 晶体管应用
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    NVTFS5820NLTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 15 hours ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    21W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    11.5m Ω @ 8.7A, 10V
    2.3V @ 250μA
    无卤素
    1462pF @ 25V
    28nC @ 10V
    28ns
    ±20V
    22 ns
    11A
    2.3V
    20V
    29A
    60V
    247A
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5353
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 11.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    SILICON
    11.5A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    12.3m Ω @ 10.7A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    3215pF @ 30V
    65nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    4 ns
    11.5A
    1.8V
    20V
    54A
    60V
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    260.37mg
    PowerTrench®
    12.3MOhm
    SWITCHING
    1.8 V
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