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首页 全部分类 NVTFS5820NLTWG vs BSC100N06LS3GATMA1

NVTFS5820NLTWG备选型号: BSC100N06LS3GATMA1

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  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    NVTFS5820NLTWG
    ON Semiconductor
    NVTFS5820NLTWG N-channel MOSFET Transistor; 29 A; 60 V; 8-Pin WDFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    11.5MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    21W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    11.5m Ω @ 8.7A, 10V
    2.3V @ 250μA
    无卤素
    1462pF @ 25V
    28nC @ 10V
    28ns
    ±20V
    22 ns
    11A
    20V
    29A
    60V
    247A
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC100N06LS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    SILICON
    12A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    10m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 23μA
    无卤素
    3500pF @ 30V
    45nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    -
    12A
    20V
    -
    -
    200A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    表面贴装
    OptiMOS™
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    60V
    22 mJ
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