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首页 全部分类 NVTFS5826NLTAG vs IRF7478TRPBF

NVTFS5826NLTAG备选型号: IRF7478TRPBF

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  • 工厂交货时间
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  • 表面安装
  • 引脚数
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    NVTFS5826NLTAG
    ON Semiconductor
    NVTFS5826NLTAG N-channel MOSFET Transistor; 20 A; 60 V; 8-Pin WDFN
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    YES
    8
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    175°C
    -55°C
    3.2W
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    22W
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    29ns
    60V
    N-CHANNEL
    21 ns
    7.6A
    2.5V
    20V
    20A
    60V
    850pF
    20 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    24mOhm
    24 mΩ
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7478TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    Tin
    -
    8
    7A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    7.7 ns
    -
    2.6ns
    -
    -
    13 ns
    4.2A
    3V
    20V
    7A
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    26MOhm
    60V
    4.2A
    1
    N-Channel
    26m Ω @ 4.2A, 10V
    3V @ 250μA
    1740pF @ 25V
    31nC @ 4.5V
    ±20V
    150°C
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