Infineon Technologies IRF7478TRPBF
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IRF7478TRPBF
1211-IRF7478TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF7478TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7478TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
44 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
26MOhm
电压 - 额定直流
60V
额定电流
4.2A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
7.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 4.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1740pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 4.5V
上升时间
2.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
4.2A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
60V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.75mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF7478TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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