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首页 全部分类 NVTJD4105CT1G vs 2N7002DW-7-F

NVTJD4105CT1G备选型号: 2N7002DW-7-F

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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    NVTJD4105CT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET COMP 20V 0.63A 22MOH
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    符合RoHS标准
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  • Diodes Incorporated
    2N7002DW-7-F
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tape & Reel (TR)
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    ROHS3 Compliant
    20 Weeks
    Tin
    6
    6.010099mg
    SILICON
    230mA
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    7.5Ohm
    HIGH RELIABILITY
    60V
    200mW
    鸥翼
    260
    115mA
    40
    6
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    200mW
    7 ns
    310mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5 Ω @ 50mA, 5V
    2V @ 250μA
    50pF @ 25V
    115mA
    2V
    20V
    0.115A
    70V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    2 V
    5 pF
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    无铅
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