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首页 全部分类 NVTJD4105CT1G vs BSD816SNH6327XTSA1

NVTJD4105CT1G备选型号: BSD816SNH6327XTSA1

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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NVTJD4105CT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET COMP 20V 0.63A 22MOH
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    符合RoHS标准
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  • Infineon Technologies
    BSD816SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    Tin
    6
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    e3
    no
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    5.3 ns
    N-Channel
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    0.95V @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    0.6nC @ 2.5V
    9ns
    ±8V
    1.4A
    8V
    20V
    800μm
    2mm
    1.25mm
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