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NX3020NAKV,115备选型号: PMGD175XN,115
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 最大耗散功率(Abs)
NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 200 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V4 Weeks表面贴装SOT-563, SOT-666YES6SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)6Tin (Sn)375mW鸥翼62Dual增强型MOSFET5 ns375mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING4.5 Ω @ 100mA, 10V1.5V @ 250μA13pF @ 10V0.44nC @ 4.5V5ns17 ns200mA1.2V30V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant--------
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP-表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES-SILICON900mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)6Tin (Sn)-鸥翼6--增强型MOSFET-390mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING225m Ω @ 1A, 4.5V1.5V @ 250μA75pF @ 15V1.1nC @ 4.5V------METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-ROHS3 CompliantIEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE30V0.9A0.225Ohm30V0.905W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMF250XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323 | 对比 |
 | PMDPB95XNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | 对比 |
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