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价格梯度

内地含税价

1

￥0.706136
10

￥0.666166
100

￥0.628459
500

￥0.592885
1000

￥0.559326

Nexperia USA Inc. NX3020NAKV,115

Name: NX3020NAKV,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-NX3020NAKV,115
Price: 0.71 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NX3020NAKV,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-NX3020NAKV,115

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 200 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V

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NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc. NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 200 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V

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NX3020NAKV,115详情

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型号对比

Nexperia USA Inc. NX3020NAKV,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
表面安装

YES
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

2
Turn Off Delay Time

34 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

375mW
终端形式

鸥翼
引脚数量

6
通道数量

2
元素配置

Dual
操作模式

增强型MOSFET
接通延迟时间

5 ns
功率 - 最大

375mW
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
晶体管应用

SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.44nC @ 4.5V
上升时间

5ns
下降时间（典型值）

17 ns
连续放电电流(ID)

200mA
栅极至源极电压(Vgs)

1.2V
最大双电源电压

30V
漏源击穿电压

30V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性

逻辑电平门
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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NX3020NAKV,115拓展信息

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