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ONET8541TY备选型号: NB2309AI1DG

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  • 无铅代码
  • 类型
  • 电压 - 供电
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  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 无卤素
  • 输入
  • 比率-输入：输出
  • 锁相环
  • 差分 - 输入：输出
  • 同边偏斜-最大(tskwd)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    ONET8541TY
    Texas Instruments
    AMP, TRANSIMP, 11.3GBPS, RSSI, TO46 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    0
    -40°C~100°C
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    18
    SONET
    90mW
    UPPER
    无铅
    未说明
    1
    3.3V
    未说明
    ONET8541
    18
    不合格
    Differential
    3.3V
    1
    27mA
    4kOhm
    11.3 Gbps
    Transimpedance
    2.97V~3.63V
    ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NB2309AI1DG
    ON Semiconductor
    Phase Locked Loops - PLL 3.3V Nine Output Zero Delay Buffer
    LIFETIME (Last Updated: 4 weeks ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    -40°C~85°C
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    16
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    40
    NB2309A
    16
    -
    -
    3.3V
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    133.33MHz
    2006
    e3
    yes
    零延迟缓冲器
    3V~3.6V
    133MHz
    9
    3.6V
    3V
    50mA
    3-STATE
    无卤素
    Clock
    1:9
    是，带旁通
    No/No
    0.25 ns
    无SVHC
    无
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