PBLS2002S,115备选型号: PBLS2003S,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • RoHS状态
  • NXP USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    SILICON
    150°C
    2009
    Tape & Reel (TR)
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    PBLS2002
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    1.5W
    SWITCHING
    NPN和PNP
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    30 @ 10mA 5V / 150 @ 2A 2V
    1μA 100nA
    150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
    50V 20V
    100MHz
    100MHz
    1.5W
    4.7k Ω
    4.7k Ω
    205ns
    41ns
    ROHS3 Compliant
  • NXP USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    SILICON
    100mA 3A
    2009
    Tape & Reel (TR)
    e4
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    镍钯金
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    PBLS2003
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    1.5W
    SWITCHING
    NPN和PNP
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    30 @ 5mA 5V / 150 @ 2A 2V
    1μA 100nA
    150mV @ 500μA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
    50V 20V
    100MHz
    100MHz
    1.5W
    10k Ω
    10k Ω
    205ns
    41ns
    ROHS3 Compliant
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