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首页 全部分类 PBSM5240PF,115 vs FJD3305H1TM

PBSM5240PF,115备选型号: FJD3305H1TM

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  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 频率
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • JEDEC-95代码
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Nexperia USA Inc.
    PBSM5240PF,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS PNP N-CH SOT1118
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    1
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    负载开关
    8541.29.00.75
    1.8A PNP 660mA N-Channel
    DUAL
    PBSM5240PF
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE
    1.1W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP
    PNP, N-Channel
    660mA
    8V
    150MHz
    30V
    140
    370mOhm
    40V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FJD3305H1TM
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    400V
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    FJD3305
    -
    -
    1.1W
    -
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    -
    -
    4MHz
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    SILICON
    1V
    150°C TJ
    yes
    1.1W
    鸥翼
    4MHz
    R-PSSO-G2
    Single
    4MHz
    400V
    4A
    8 @ 2A 5V
    1μA ICBO
    TO-252AA
    1V @ 1A, 4A
    400V
    700V
    9V
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FJD3305H1TM FJD3305H1TM ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比