PBSS4360PASX备选型号: DZT651-13
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- JESD-30代码
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- 晶体管应用
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- 晶体管类型
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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- RoHS状态
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- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
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- 端子表面处理
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- 基本部件号
- 元素配置
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- 增益带宽积
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- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- NEXPERIA - PBSS4360PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 60 V, 160 MHz, 600 mW, 3 A, 75 hFE8 Weeks表面贴装表面贴装3-UDFN Exposed PadSILICON60V175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012015活跃1 (Unlimited)3600mWDUAL无铅未说明未说明3AEC-Q101; IEC-60134S-PDSO-N3SINGLECOLLECTOR600mWSWITCHINGNPNNPN325mV3A200 @ 1A 5V100nA ICBO325mV @ 300mA, 3A160MHz60V160MHzROHS3 Compliant------------------
- Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R15 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AASILICON60V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)42WDUAL鸥翼260404---COLLECTOR1WSWITCHINGNPNNPN60V3A100 @ 500mA 2V100nA ICBO600mV @ 300mA, 3A200MHz60V-ROHS3 Compliant47.994566mg600mVe3yesEAR99Matte Tin (Sn)200MHzDZT651Single2W200MHz80V5V1.6mm6.5mm3.5mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5824T100Q | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN 60V 3A SOT-89 | 对比 | |
| 2SA2071T100Q | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS PNP 60V 3A SOT-89 | 对比 | |
![]() | DZT651-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |




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