PC851X备选型号: H11A617C300
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- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 上升/下降时间(Typ)
- 最大直流驱动电流(If)
- Vce 饱和度(最大值)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 最大集电极电流
- 电流传输比(最大)
- OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP通孔通孔4-DIP (0.300, 7.62mm)4-DIP-25°C~100°CTube2003Obsolete1 (Unlimited)5000Vrms350VTransistor111.2VDC350V50mA4μs300mV4μs 5μs50mA300mVNon-RoHS Compliant含铅--------
- OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP通孔通孔4-DIP (0.300, 7.62mm)4-DIP-55°C~100°CTube-Obsolete1 (Unlimited)5300Vrms70VTransistor111.35VDC-50mA4μs400mV2.4μs 2.4μs50mA400mV符合RoHS标准无铅4400mV100% @ 10mA100°C-55°C200mW50mA200% @ 10mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| H11A617C300 | ON Semiconductor | 光隔离器 - 晶体管,光电输出 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP | 对比 | |
| FOD817W | ON Semiconductor | 光隔离器 - 晶体管,光电输出 | 4-DIP (0.400, 10.16mm) | OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP | 对比 |



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