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首页 全部分类 PCP1208-TD-H vs 2SD2662T100

PCP1208-TD-H备选型号: 2SD2662T100

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  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 已出版
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    PCP1208-TD-H
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 200V 0.7A T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    30V
    115mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.3W
    not_compliant
    3
    Single
    无卤素
    120MHz
    NPN
    NPN
    200mV
    1.5A
    200 @ 100mA 5V
    1μA ICBO
    200mV @ 35mA, 350mA
    200V
    220V
    8V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    2SD2662T100
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89
    -
    -
    表面贴装
    TO-243AA
    -
    4
    30V
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    锡铜
    2W
    not_compliant
    3
    -
    -
    -
    NPN
    NPN
    30V
    1.5A
    270 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    350mV @ 50mA, 1A
    -
    30V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Copper, Tin
    表面贴装
    SILICON
    3
    SINGLE
    FLAT
    260
    10
    2SD2662
    R-PSSO-F3
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    2W
    AMPLIFIER
    330MHz
    30V
    330MHz
    无SVHC
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