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首页 全部分类 PD54003-E vs NTD23N03RT4G

PD54003-E备选型号: NTD23N03RT4G

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    PD54003-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    2
    1
    Tube
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    25V
    52.8W
    DUAL
    鸥翼
    4A
    500MHz
    PD54003
    10
    Single
    增强型MOSFET
    52.8W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    4A
    20V
    3W
    4A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    12dB
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD23N03RT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    3.8A Ta 17.1A Tc
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    -
    25V
    -
    -
    鸥翼
    23A
    -
    -
    4
    Single
    增强型MOSFET
    22.3W
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    23A
    20V
    -
    3.8A
    25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无
    -
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2009
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    R-PSSO-G2
    2 ns
    N-Channel
    45m Ω @ 6A, 10V
    2V @ 250μA
    225pF @ 20V
    3.76nC @ 4.5V
    14.9ns
    ±20V
    2 ns
    0.06Ohm
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