STMicroelectronics PD54003-E
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PD54003-E
2381-PD54003-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
大陆
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FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
--最小包装量--
PD54003-E详情
STMicroelectronics PD54003-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
25 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
引脚数
2
Number of Elements
1
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
165°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
52.8W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
4A
频率
500MHz
基本部件号
PD54003
引脚数量
10
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
52.8W
箱体转运
SOURCE
测试电流
50mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大输出功率
3W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏源击穿电压
25V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
7.5V
功率增益
12dB
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
PD54003-E拓展信息
STMicroelectronics
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