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PD54008S-E备选型号: PD54008-E

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 输入电容
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD54008S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    73W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    5A
    500MHz
    未说明
    PD54008
    10
    R-PDSO-F2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    73W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    20V
    11.5dB
    8W
    5A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD54008-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    4
    1
    Tube
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    73W
    DUAL
    鸥翼
    -
    5A
    500MHz
    -
    PD54008
    10
    R-PDSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    73W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    20V
    11.5dB
    8W
    5A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    25 Weeks
    e3
    Matte Tin (Sn) - annealed
    25V
    91pF
    3.5mm
    7.5mm
    9.4mm
    无
    无铅
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