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PD55035STR-E备选型号: PD85035S-E
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- 包装
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最大输出功率
- 辐射硬化
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad41Tape & Reel (TR)yes活跃3 (168 Hours)2EAR99165°C-65°CHIGH RELIABILITY95WDUALFLAT未说明7A500MHz未说明PD5503510R-PDSO-F2不合格Single增强型MOSFET95WSOURCE200mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS7A20V16.9dB7A40V35WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR12.5VROHS3 Compliant------ FET RF 40V 870MHZ表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tube-活跃3 (168 Hours)2EAR99150°C-65°C-95WDUALFLAT2508A870MHz30PD8503510R-PDSO-F2-Single增强型MOSFET95WSOURCE350mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS8A15V17dB8A40V15WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6VROHS3 Compliant25 Weekse3Matte Tin (Sn)40W无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD84010-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 40V 870MHZ | 对比 |
| PD55035-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | 对比 |
| PD85035S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 870MHZ | 对比 |
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