PD57006-E备选型号: ZXMHC6A07N8TC
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 最小击穿电压
- 功率增益
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管特性
- FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10NRND (Last Updated: 8 months ago)表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)34.535924g1Tubee3Obsolete3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°C20WDUAL鸥翼2501A945MHz30PD5700610R-PDSO-G2Single增强型MOSFET20WSOURCE70mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS1A20V6W1A65V27pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28V65V15dB3.5mm7.5mm9.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC-表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)873.992255mg1.39A 1.28ATape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)--870mWDUAL鸥翼260--40ZXMHC6A078--增强型MOSFET1.36W--SWITCHING60VN-CHANNEL AND P-CHANNEL-1.28A20V-1.39A-60V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR---1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅17 Weeks表面贴装SILICON-55°C~150°C TJ2009yes1.6 ns2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)250m Ω @ 1.8A, 10V3V @ 250μA166pF @ 40V3.2nC @ 10V2.3ns5.8 ns0.25Ohm逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMD6601NR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM | 对比 | |
![]() | IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 对比 |





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