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首页 全部分类 PD57006S-E vs PD57006STR-E

PD57006S-E备选型号: PD57006STR-E

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  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 最小击穿电压
  • 功率增益
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 资历状况
  • 增益
  • STMicroelectronics
    PD57006S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    4
    1
    Tube
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    20W
    DUAL
    FLAT
    250
    1A
    945MHz
    30
    PD57006
    10
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    20W
    SOURCE
    70mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    1A
    20V
    6W
    1A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    65V
    15dB
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD57006STR-E
    STMicroelectronics
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    镍钯金
    165°C
    -65°C
    20W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    1A
    945MHz
    未说明
    PD57006
    10
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    20W
    SOURCE
    70mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    1A
    20V
    6W
    1A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    25 Weeks
    不合格
    15dB
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