Diodes Incorporated ZXMN6A07FTA

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Turn Off Delay Time

4.9 ns

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Number of Elements

1

已出版

2002

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

400mOhm

电压 - 额定直流

60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

806mW

接通延迟时间

1.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

166pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.2nC @ 10V

上升时间

1.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1.4 ns

连续放电电流(ID)

1.2A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

3 V

宽度

1.4mm

长度

3.04mm

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅