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PD57006STR-E备选型号: PD57006S-E
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- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 电压-测试
- RoHS状态
- 最小击穿电压
- 功率增益
- 辐射硬化
- 无铅
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF25 Weeks表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)31Tape & Reel (TR)e4活跃3 (168 Hours)2EAR99镍钯金165°C-65°C20WDUALFLAT未说明1A945MHz未说明PD5700610R-PDSO-F2不合格Single增强型MOSFET20WSOURCE70mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS1A20V15dB6W1A65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 Compliant----- FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10-表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad41Tubee3Obsolete3 (168 Hours)2EAR99哑光锡165°C-65°C20WDUALFLAT2501A945MHz30PD5700610R-PDSO-F2-Single增强型MOSFET20WSOURCE70mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS1A20V-6W1A65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 Compliant65V15dB无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | 对比 |
 | PD57006-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 对比 |
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