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PD57045-E备选型号: NID6002NT4G

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  • 特征
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD57045-E
    STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    73W
    DUAL
    鸥翼
    5A
    945MHz
    PD57045
    10
    R-PDSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    73W
    SOURCE
    250mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    20V
    14.5dB
    45W
    5A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NID6002NT4G
    ON Semiconductor
    IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 day ago)
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    840 ns
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    -
    6.5A
    -
    NID6002N
    3
    -
    Single
    -
    2.5W
    -
    -
    -
    60V
    -
    -
    6.5A
    14V
    -
    -
    -
    70V
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    Tin
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    HDPlus™
    2002
    yes
    185mOhm
    65V
    1
    N-Channel
    6.5A
    On/Off
    低侧
    不需要
    Non-Inverting
    96 ns
    通用型
    250ns
    660 ns
    1.85V
    1:1
    60V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    185m Ω
    210mOhm
    Auto Restart, Slew Rate Controlled
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无铅
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