PD57045-E备选型号: PD57030-E
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最小击穿电压
- 功率增益
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) TubeACTIVE (Last Updated: 7 months ago)25 Weeks表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°C73WDUAL鸥翼5A945MHzPD5704510R-PDSO-G2Single增强型MOSFET73WSOURCE250mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS5A20V14.5dB45W5A65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28V无ROHS3 Compliant----------
- FET RF 65V 945MHZ PWRSO10ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)25 Weeks表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99哑光锡165°C-65°C52.8WDUAL鸥翼4A945MHzPD570302R-PDSO-G2Single增强型MOSFET52.8WSOURCE50mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS4A20V-30W4A-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28V无ROHS3 CompliantHIGH RELIABILITY65V2503065V14dB3.5mm7.5mm9.4mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PD57030-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | 对比 |
![]() | SD57045-01 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | M250 | FET RF 65V 945MHZ M250 | 对比 |
![]() | PD57030S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | 对比 |






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