PD57045TR-E备选型号: IRFML8244TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 增益
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 系列
- 已出版
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- FET RF 65V 945MHZ POWERSO-10RF25 Weeks表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Cut Tape (CT)e4活跃3 (168 Hours)2EAR99镍钯金165°C-65°C73WDUAL鸥翼5A945MHzPD5704510R-PDSO-G2SINGLE增强型MOSFETSOURCE250mAAMPLIFIERN-CHANNELLDMOS5A14.5dB5A65V45WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28V无ROHS3 Compliant-------------------------------
- MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT2312 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-335.8A TaTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)---DUAL鸥翼------增强型MOSFET--SWITCHING--5.8A------无ROHS3 Compliant表面贴装SILICONMicro3-55°C~150°C TJHEXFET®200841MOhm26030Single1.25W2.7 nsN-Channel24m Ω @ 5.8A, 10V2.35V @ 10μA430pF @ 10V5.4nC @ 10V2.1ns±20V2.9 ns1.7V20V25V24A17 ns1.7 V1.02mm3.04mm1.4mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 | 对比 |
![]() | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |




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