您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PD57060S-E vs FDD5810-F085

PD57060S-E备选型号: FDD5810-F085

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 无铅代码
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    PD57060S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    79W
    DUAL
    FLAT
    250
    7A
    945MHz
    30
    PD57060
    10
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    7A
    20V
    14.3dB
    60W
    7A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5810-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    7.4A Ta 37A Tc
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    7.7A
    20V
    -
    -
    7.4A
    60V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    260.37mg
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    yes
    12 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    TO-252AA
    0.022Ohm
    45 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PD57060-E PD57060-E STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 对比
PD57045-E PD57045-E STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube 对比
FDD24AN06LA0-F085 FDD24AN06LA0-F085 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 对比