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PD57070-E备选型号: PD57060S-E
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- 包装
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
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- 增益
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
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- RoHS状态
- 生命周期状态
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 辐射硬化
- 无铅
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-1011 Weeks表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°C95WDUAL鸥翼250not_compliant7A945MHz30PD5707010R-PDSO-G2不合格Single增强型MOSFET95WSOURCE250mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS7A20V14.7dB70W7A65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 Compliant-----
FET RF 65V 945MHZ PWRSO1025 Weeks表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°C79WDUALFLAT250-7A945MHz30PD5706010R-PDSO-F2-Single增强型MOSFET79WSOURCE100mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS7A20V14.3dB60W7A65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)HIGH RELIABILITY65V无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PD57070S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 对比 |
 | FDD24AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 40A TO-252 | 对比 |
| PD57060S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | 对比 |
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