PD84002备选型号: ZXMN3A01ZTA

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 漏源击穿电压
  • STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 25V 2A 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    130.492855mg
    1
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    6W
    FLAT
    260
    not_compliant
    2A
    870MHz
    30
    PD84002
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2A
    15V
    15dB
    2W
    2A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    -
    130.492855mg
    2.2A Ta
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    FLAT
    260
    -
    -
    -
    40
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    2.2A
    20V
    -
    -
    3.3A
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    2012
    -55°C~150°C TJ
    yes
    120mOhm
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    R-PSSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    2.6 ns
    N-Channel
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    1V @ 250μA
    186pF @ 25V
    5nC @ 10V
    4.1ns
    ±20V
    3.6 ns
    30V
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