PD85004备选型号: PD84001
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- 生命周期状态
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 输入电容
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 功率增益
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最小击穿电压
- 无铅
- RF MOSFET Transistors RF PWR TRANSISTORACTIVE (Last Updated: 8 months ago)11 Weeks表面贴装TO-243AA8130.492855mg1Cut Tape (CT)活跃3 (168 Hours)3EAR99150°C-65°C6WFLAT2A870MHzPD850043R-PSSO-F3Single增强型MOSFET6WSOURCE50mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS2A15V5W2A16pF4WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6V17dB1.6mm4.6mm2.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant-------
- FET RF 18V 870MHZACTIVE (Last Updated: 8 months ago)11 Weeks表面贴装TO-243AA3130.492855mg1Cut Tape (CT)活跃3 (168 Hours)4EAR99150°C-65°C6WFLAT1.5A870MHzPD840014R-PDSO-F4Single增强型MOSFET6WSOURCE50mAAMPLIFIER18VN-CHANNELLDMOS1.5A15V1W--30dBmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR7.5V15dB---无SVHC无ROHS3 Compliante3Matte Tin (Sn)DUAL2603018V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PD84002 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | TO-243AA | Trans RF MOSFET N-CH 25V 2A 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R | 对比 |
![]() | ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | 对比 |




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