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首页 全部分类 PD85004 vs ZXMN3A01ZTA

PD85004备选型号: ZXMN3A01ZTA

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  • 功率 - 输出
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  • 辐射硬化
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  • 晶体管元件材料
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  • 附加功能
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  • 配置
  • 通道数量
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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD85004
    STMicroelectronics
    RF MOSFET Transistors RF PWR TRANSISTOR
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    8
    130.492855mg
    1
    Cut Tape (CT)
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    150°C
    -65°C
    6W
    FLAT
    2A
    870MHz
    PD85004
    3
    R-PSSO-F3
    Single
    增强型MOSFET
    6W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2A
    15V
    5W
    2A
    16pF
    4W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    17dB
    1.6mm
    4.6mm
    2.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3A01ZTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    -
    130.492855mg
    2.2A Ta
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-F3
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    2.2A
    20V
    -
    3.3A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    SILICON
    2012
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    120mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    260
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    2.6 ns
    N-Channel
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    1V @ 250μA
    186pF @ 25V
    5nC @ 10V
    4.1ns
    ±20V
    3.6 ns
    30V
    无铅
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