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PD85006-E备选型号: PD55003S-E

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD85006-E
    STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    36.5W
    DUAL
    鸥翼
    250
    not_compliant
    2A
    870MHz
    未说明
    PD85006
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    36.5W
    SOURCE
    200mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2A
    15V
    17dB
    6W
    2A
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD55003S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    -
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    2.5A
    500MHz
    -
    PD55003
    10
    R-PDSO-F2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    17dB
    3W
    -
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    12.5V
    ROHS3 Compliant
    40V
    无
    无铅
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