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首页 全部分类 PD85025TR-E vs FDD4685

PD85025TR-E备选型号: FDD4685

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  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD85025TR-E
    STMicroelectronics
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    165°C
    -65°C
    79W
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    7A
    870MHz
    未说明
    PD85025
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    SOURCE
    300mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    7A
    15V
    17.3dB
    30W
    7A
    40V
    10W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD4685
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    8.4A Ta 32A Tc
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -8.4A
    -
    -
    FDD4685
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    -
    -
    40V
    -
    -
    8.4mA
    20V
    -
    -
    40A
    -40V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
    Tin
    表面贴装
    260.37mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    2006
    yes
    SMD/SMT
    27MOhm
    -40V
    8 ns
    P-Channel
    27m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    2380pF @ 20V
    27nC @ 5V
    15ns
    ±20V
    14 ns
    -1.6V
    -40V
    -1.6 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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