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PD85025TR-E备选型号: PD84010-E
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
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- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
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- 晶体管应用
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- 极性/通道类型
- 晶体管类型
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
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- 生命周期状态
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TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF25 Weeks表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tape & Reel (TR)e3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn)165°C-65°C79WDUAL鸥翼未说明not_compliant7A870MHz未说明PD8502510R-PDSO-G2不合格Single增强型MOSFET79WSOURCE300mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS7A15V17.3dB30W7A40V10WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6VROHS3 Compliant--- FET RF 40V 870MHZ-表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tubee3Obsolete3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn)165°C-65°C95WDUAL鸥翼250-8A870MHz30PD8401010R-PDSO-G2-Single增强型MOSFET95WSOURCE300mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS8A15V16.3dB10W8A40V2WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR7.5VROHS3 CompliantOBSOLETE (Last Updated: 8 months ago)无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PD84010-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 40V 870MHZ | 对比 |
 | PD85035S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 870MHZ | 对比 |
| PD20015-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | 对比 |
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