PD85035-E备选型号: NTD3055L170
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 最小击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 操作温度
- 已出版
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- Reach合规守则
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- Trans RF MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) TubeACTIVE (Last Updated: 8 months ago)25 Weeks表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn)165°C-65°CHIGH RELIABILITY95WDUAL鸥翼2508A870MHz30PD8503510R-PDSO-G2Single增强型MOSFET95WSOURCE350mAAMPLIFIERN-CHANNELLDMOS8A15V17dB40W8A40V15WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6V40V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 60V 9A DPAK--表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-9A TaTube-Obsolete1 (Unlimited)----------9A---3-Single-28.5W-----9A15V---60V-----Non-RoHS Compliant含铅表面贴装-55°C~175°C TJ20098541.29.00.9560Vnot_compliantN-Channel170m Ω @ 4.5A, 5V2V @ 250μA275pF @ 25V10nC @ 5V69ns±15V38 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PD84010-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 40V 870MHZ | 对比 |
![]() | PD85035S-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 870MHZ | 对比 |
![]() | NTD3055L170 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 对比 |





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