PD85035-E备选型号: NTD3055L170

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
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  • 包装/外壳
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  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 最小击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 已出版
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    95W
    DUAL
    鸥翼
    250
    8A
    870MHz
    30
    PD85035
    10
    R-PDSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    95W
    SOURCE
    350mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    8A
    15V
    17dB
    40W
    8A
    40V
    15W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    40V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    9A Ta
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    9A
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    -
    28.5W
    -
    -
    -
    -
    -
    9A
    15V
    -
    -
    -
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    表面贴装
    -55°C~175°C TJ
    2009
    8541.29.00.95
    60V
    not_compliant
    N-Channel
    170m Ω @ 4.5A, 5V
    2V @ 250μA
    275pF @ 25V
    10nC @ 5V
    69ns
    ±15V
    38 ns
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