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首页 全部分类 PDTA113EE,115 vs DTA114GUAT106

PDTA113EE,115备选型号: DTA114GUAT106

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 极性
  • 元素配置
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PDTA113EE,115
    NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    SILICON
    100mA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    PDTA113
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    150mW
    SWITCHING
    PNP
    PNP - Pre-Biased
    30 @ 40mA 5V
    1μA
    150mV @ 1.5mA, 30mA
    50V
    0.15W
    1 k Ω
    1 k Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTA114GUAT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    DTA114
    3
    -
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    PNP - Pre-Biased
    30 @ 5mA 5V
    500nA ICBO
    300mV @ 500μA, 10mA
    -
    -
    10 k Ω
    -
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    表面贴装
    3
    yes
    150°C
    -55°C
    8541.21.00.75
    -50V
    200mW
    -100mA
    PNP
    Single
    50V
    100mA
    250MHz
    50V
    250MHz
    无
    无铅
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