PDTB113EUX备选型号: MSB710-RT1G
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- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 无铅
- TRANS PREBIAS PNP 0.425W4 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233SILICON50VTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)3BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1300mWDUAL鸥翼3SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR300mWSWITCHINGPNPNPN - Pre-Biased100mV500mA33 @ 50mA 5V500nA100mV @ 2.5mA, 50mA140MHz140MHz1 k Ω1 k ΩROHS3 Compliant-----------------
- TRANS PNP 50V 0.5A SC-59-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON50VTape & Reel (TR)2006Obsolete1 (Unlimited)3-200mWDUAL鸥翼3--AMPLIFIERPNPPNP600mV500mA120 @ 150mA 10V100nA ICBO600mV @ 30mA, 300mA----符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)-600mV150°C TJe3yesEAR99Tin (Sn)-50V260-500mA40不合格Single200mW-50V7V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4081T106S | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-70, SOT-323 | TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 | 对比 | |
![]() | MSB710-RT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC-59 | 对比 |




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