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首页 全部分类 PDTC114YT,215 vs MUN2233T1

PDTC114YT,215备选型号: MUN2233T1

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  • 包装/外壳
  • 表面安装
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 环境耗散-最大值
  • RoHS状态
  • 底架
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 连续集电极电流
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PDTC114YT,215
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PDTC114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    100mA
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    PDTC114
    3
    不合格
    NPN
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    250mW
    SWITCHING
    NPN - Pre-Biased
    100 @ 5mA 5V
    1μA
    100mV @ 250μA, 5mA
    50V
    10 k Ω
    47 k Ω
    0.25W
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN2233T1
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
    -
    DUAL
    鸥翼
    240
    30
    MUN2233
    3
    不合格
    NPN
    -
    -
    SWITCHING
    NPN - Pre-Biased
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    -
    4.7 k Ω
    47 k Ω
    -
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    150°C
    -55°C
    50V
    338mW
    not_compliant
    100mA
    R-PDSO-G3
    Single
    230mW
    250mV
    100mA
    100mA
    含铅
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