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首页 全部分类 PDTD113ZQAZ vs DTB123YCT116

PDTD113ZQAZ备选型号: DTB123YCT116

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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • HTS代码
  • 极性
  • 元素配置
  • 最大击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PDTD113ZQAZ
    Nexperia USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN 3DFN
    4 Weeks
    3-XDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
    325mW
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    3
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    COLLECTOR
    325mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN - Pre-Biased
    100mV
    500mA
    70 @ 50mA 5V
    500nA
    100mV @ 2.5mA, 50mA
    210MHz
    210MHz
    1 k Ω
    10 k Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTB123YCT116
    ROHM Semiconductor
    PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
    13 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    -
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    SWITCHING
    -
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    500mA
    56 @ 50mA 5V
    500nA
    300mV @ 2.5mA, 50mA
    200MHz
    200MHz
    2.2 k Ω
    10 k Ω
    ROHS3 Compliant
    3
    e1
    EAR99
    锡银铜
    150°C
    8541.21.00.75
    PNP
    Single
    50V
    无SVHC
    无
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