PDTD123TT,215备选型号: DSC2002S0L
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- 端子表面处理
- 最高工作温度
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
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- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 电阻基(R1)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- HTS代码
- Reach合规守则
- 极性/通道类型
- 最高频率
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 宽度
- 长度
- 高度
- TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB4 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350VTape & Reel (TR)2005e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150°C-65°CBUILT-IN BIAS RESISTOR250mWDUAL鸥翼26040PDTD1233NPNSingleSWITCHINGNPN - Pre-Biased50V500mA100 @ 50mA 5V500nA300mV @ 2.5mA, 50mA50V2.2 k Ω无ROHS3 Compliant无铅--------------
- Bipolar Transistors - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33120Tape & Reel (TR)--Discontinued1 (Unlimited)3EAR99-----DUAL鸥翼未说明未说明DSC2002--SingleAMPLIFIERNPN50V500mA170 @ 150mA 10V100nA ICBO600mV @ 30mA, 300mA50V--符合RoHS标准-SILICON160MHz600mV150°C TJ8541.21.00.75unknownNPN160MHz160MHz60V5V1.5mm2.9mm1.1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC200200L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |
| DTD143ECT216 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 | 对比 | |
![]() | DSC2002S0L | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |




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