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首页 全部分类 PEMD13,115 vs PBLS4003V,115

PEMD13,115备选型号: PBLS4003V,115

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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • Nexperia USA Inc.
    PEMD13,115
    Nexperia USA Inc.
    Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    4.535924g
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
    300mW
    FLAT
    MD13
    6
    NPN, PNP
    2
    Dual
    300mW
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    100 @ 10mA 5V
    1μA
    100mV @ 250μA, 5mA
    50V
    4.7k Ω
    100mA
    47k Ω
    600μm
    1.7mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PBLS4003V,115
    NXP USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    -
    -
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    -
    100mA 500mA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    -
    FLAT
    PBLS4003
    6
    -
    -
    -
    -
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    -
    -
    30 @ 5mA 5V / 150 @ 100mA. 2V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
    -
    10k Ω
    -
    10k Ω
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    DUAL
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    300mW
    NPN和PNP
    50V 40V
    300MHz
    300MHz
    0.3W
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