PEMD13,115
PEMD13,115

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Nexperia USA Inc. PEMD13,115

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型号

PEMD13,115

utmel 编号

1729-PEMD13,115

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R

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PEMD13,115 Nexperia USA Inc. Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R

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PEMD13,115详情

Nexperia USA Inc. PEMD13,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • 质量

    4.535924g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    100

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 基本部件号

    MD13

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    300mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    1μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    100mV @ 250μA, 5mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 电阻基(R1)

    4.7k Ω

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47k Ω

  • 高度

    600μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Nexperia USA Inc. PEMD13,115.

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PEMD13,115拓展信息

PUMH11,115
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Nexperia USA Inc.

PIMD3,115
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PUMD12,115
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PUMB3,115
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PUMD2,115
PUMD2,115

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PUMB2,115
PUMB2,115

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PUMD3,135
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PUMB11,115
PUMB11,115

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PEMH4,115
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PIMN31,115
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