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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.384327
10
¥3.192763
100
¥3.012037
500
¥2.841548
1000
¥2.6807
Nexperia USA Inc. PEMD13,115
- 收藏
- 对比
PEMD13,115
1729-PEMD13,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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Transistor Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SS-Mini T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PEMD13,115详情
Nexperia USA Inc. PEMD13,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
基本部件号
MD13
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
4.7k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PEMD13,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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