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首页 全部分类 PH8230E,115 vs PH8030L,115

PH8230E,115备选型号: PH8030L,115

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  • 引脚数
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Nexperia USA Inc.
    PH8230E,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    67A Tc
    Cut Tape (CT)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    62.5W
    鸥翼
    4
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1400pF @ 10V
    14nC @ 5V
    44ns
    21 ns
    67A
    20V
    0.0132Ohm
    30V
    268A
    1.1mm
    5mm
    4.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PH8030L,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    76.7A Tc
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    4
    -
    R-PSSO-G4
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 25A, 10V
    2.15V @ 1mA
    2260pF @ 12V
    15.2nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    0.0097Ohm
    -
    300A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    8541.29.00.95
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    ±20V
    76.7A
    30V
    95 mJ
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