Nexperia USA Inc. PH8230E,115

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

5

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

67A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

包装

Cut Tape (CT)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

62.5W

终端形式

鸥翼

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.2m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 5V

上升时间

44ns

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

67A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0132Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

268A

高度

1.1mm

长度

5mm

宽度

4.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅