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PH9930L,115备选型号: PH9025L,115

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • NXP USA Inc.
    PH9930L,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    YES
    SILICON
    63A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低导通损耗
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.9m Ω @ 25A, 10V
    2.15V @ 1mA
    1565pF @ 12V
    13.3nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    MO-235
    63A
    0.0135Ohm
    214A
    30V
    53 mJ
    ROHS3 Compliant
  • NXP USA Inc.
    PH9025L,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    YES
    SILICON
    66A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2007
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    低导通损耗
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 10A, 10V
    2.15V @ 1mA
    1414pF @ 30V
    12.8nC @ 4.5V
    25V
    ±20V
    MO-235
    66A
    0.013Ohm
    240A
    25V
    55 mJ
    ROHS3 Compliant
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