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PHD20N06T,118备选型号: PMF3800SN,115
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- 安装类型
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 源Url状态检查日期
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK26 WeeksYES表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON18A Tc4V @ 1mATrenchMOS™2009-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING77m Ω @ 10A, 10V422pF @ 25V11nC @ 10V55V±20V18A0.077Ohm73A55V36 mJnot_compliantROHS3 Compliant-
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323--表面贴装SC-70, SOT-3233-260mA Ta3.3V @ 1mATrenchMOS™2009-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)-------------N-Channel-4.5 Ω @ 500mA, 10V40pF @ 10V0.85nC @ 10V60V±15V------ROHS3 Compliant2013-06-14 00:00:00- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK | 对比 |
| PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |
 | BUK9E15-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 对比 |
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