PHD36N03LT,118备选型号: IRLR7807ZTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YESSILICON43.4A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2006e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING17m Ω @ 25A, 10V2V @ 250μA690pF @ 25V18.5nC @ 10V30V±20V43.4A0.04Ohm173.6A30VROHS3 Compliant-------------------------
- MOSFET N-CH 30V 43A DPAK表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-鸥翼260-30-R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING13.8m Ω @ 15A, 10V2.25V @ 250μA780pF @ 15V11nC @ 4.5V-±20V----ROHS3 Compliant12 Weeks表面贴装313.8MOhm30V43ASingle40W7.1 ns28ns3.5 ns43A1.8VTO-252AA20V30V28 mJ35 ns1.8 V2.26mm6.7056mm6.22mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD50N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | 对比 | |
| NTD50N03RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | 对比 | |
![]() | IRLR7807ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 43A DPAK | 对比 |



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