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PHD97NQ03LT,118备选型号: PMN25EN,115
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 漏源电压 (Vdss)
- 源Url状态检查日期
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK26 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON12.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009TrenchMOS™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET107WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING6.3m Ω @ 25A, 10V1570pF @ 12V11.7nC @ 4.5V33ns±20V12 ns75A20V25V0.0106Ohm25V60 mJ无ROHS3 Compliant--
MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET-表面贴装SC-74, SOT-457-6-6.2A Ta2.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013--Obsolete1 (Unlimited)-------------N-Channel-23m Ω @ 6.2A, 10V492pF @ 15V11nC @ 10V-±20V--------ROHS3 Compliant30V2013-06-14 00:00:00- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMN20EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET Small Signal MOSFET | 对比 |
 | PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 | 对比 |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
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