Nexperia USA Inc. PHD97NQ03LT,118

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

107W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

107W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.7nC @ 4.5V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.0106Ohm

漏源击穿电压

25V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant