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首页 全部分类 PHP20N06T,127 vs HUF75309P3

PHP20N06T,127备选型号: HUF75309P3

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PHP20N06T,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 20.3A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.3A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2000
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    3
    Single
    增强型MOSFET
    62W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 1mA
    483pF @ 25V
    11nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    40 ns
    20A
    20V
    55V
    0.075Ohm
    55V
    81A
    9.4mm
    10.3mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HUF75309P3
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    19A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    2002
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    55W
    -
    -
    N-Channel
    -
    70mOhm @ 19A, 10V
    4V @ 250μA
    350pF @ 25V
    24nC @ 20V
    39ns
    ±20V
    30 ns
    19A
    20V
    -
    -
    55V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    TO-220-3
    175°C
    -55°C
    55V
    19A
    55V
    350pF
    70mOhm
    70 mΩ
    无铅
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