您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PHP52N06T,127 vs IRFZ46NPBF

PHP52N06T,127备选型号: IRFZ46NPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 引脚数
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PHP52N06T,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 52A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    NO
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2010
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 1mA
    1592pF @ 25V
    36nC @ 10V
    60V
    ±20V
    TO-220AB
    52A
    0.022Ohm
    208A
    60V
    115 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ46NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    53A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    250
    30
    -
    -
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    16.5m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    1696pF @ 25V
    72nC @ 10V
    -
    ±20V
    TO-220AB
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    3
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    53A
    2.54mm
    55V
    Single
    40A
    88W
    14 ns
    76ns
    57 ns
    53A
    4V
    20V
    55V
    55V
    101 ns
    4 V
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PHP54N06T,127 PHP54N06T,127 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB 对比
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 55A TO-220AB 对比
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB 对比